產(chǎn)品系列
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晶振廠家
進口晶振
臺產(chǎn)晶振
歐美晶振
Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
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QQ:632862232
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- 編號：10924290
- 頻率：1~60MHz
- 尺寸：2.5*2.0*0.8mm
ILSI晶振,ISM95晶振,高質(zhì)量振蕩器
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對...
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ILSI晶振,ISM95晶振,高質(zhì)量振蕩器.2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,我們的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于2520晶振或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體。.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.
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| 型號 | 符號 | ISM95 |
| 輸出方式 | - | HCMOS/TTL |
| 輸出頻率范圍 | fo | 1~60MHz |
| 電源電壓 | VCC | +3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±25ppm，±50ppm，±100ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use |
0℃~+70 -10℃~+60℃ -10℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~?55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至貼片低功耗晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下,晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解美國晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口智能家居晶振.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.
美國ILSI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).
美國ILSI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體振蕩器、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
ILSI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ILSI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
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