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- 編號：40234120
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：3.2*1.5*0.7mm
Microcrystal晶振,OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC晶振,OM-7604-C7晶振,CMOS輸出晶振
智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)...
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Microcrystal晶振,OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC晶振,OM-7604-C7晶振,CMOS輸出晶振.高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
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貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
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微晶的管理團(tuán)隊(duì)以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員.職位提供了一個(gè)積極的例子,在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為.公司.他們激勵(lì)員工始終如一地思考問題.質(zhì)量與成本.必須迅速分析、糾正目前存在的問題,和適當(dāng)?shù)拇胧?所有的經(jīng)理負(fù)責(zé)娛樂一個(gè)內(nèi)部環(huán)境,在那里可以公開指出問題并進(jìn)行討論.通過不斷改進(jìn)技術(shù),過程、產(chǎn)品、服務(wù)、質(zhì)量、環(huán)境保護(hù)、安全和安全方面,微晶Microcrystal有源晶振也將保持其在未來的市場地位.
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| 型號 | 符號 | OM-7604-C7晶振 |
| WC | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 32.768KHZ |
| 電源電壓 | VCC | +1.2V~+5.5V |
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頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±20ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近耐高溫晶振的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則SMD晶振或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
所有石英晶體壓控控制振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
瑞士微晶晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、石英晶體振蕩器、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
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全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到 專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì),耐心為您解答任何疑問,讓您的
前所未有的后顧無憂. 消費(fèi)得到保障.
3.質(zhì)量保證，誠信為上 4.提升業(yè)績,降低成本
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為您做到低成本,高效率.
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