產(chǎn)品系列
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晶振廠家
進(jìn)口晶振
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歐美晶振
Tel:0755-27838351
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- 編號(hào)：42645306
- 頻率：6~40MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.5mm
suntsu晶振,STC53C晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器
溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33....
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suntsu晶振,STC53C晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英貼片晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英貼片晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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總部位于美國(guó)加利福尼亞州奧蘭治縣,與韓國(guó),中國(guó)和臺(tái)灣的合資伙伴合作成立.SUNTSU進(jìn)口晶振頻率控制公司成立于2002年,由頻率控制行業(yè)的專業(yè)人士設(shè)計(jì),并考慮到三個(gè)關(guān)鍵原則:1.建立涵蓋全頻譜晶體頻率控制設(shè)備的產(chǎn)品陣容,從而為客戶提供滿足頻率控制需求的單一來(lái)源.2.通過(guò)設(shè)計(jì)和制造特定于客戶應(yīng)用的定制組件,鼓勵(lì)創(chuàng)造力并支持行業(yè)創(chuàng)新.3.通過(guò)按時(shí)交付提供高質(zhì)量的產(chǎn)品來(lái)培養(yǎng)長(zhǎng)期的客戶關(guān)系.
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| 型號(hào) | 符號(hào) | STC53C |
| WC | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 6~40MHz |
| 電源電壓 | VCC | +3.3V |
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頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±1.5ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF |
| 波形對(duì)稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口VC-TCXO晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體振蕩器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來(lái)使用.
(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
美國(guó)SUNTSU美國(guó)進(jìn)口晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過(guò)去SUNTSU環(huán)保晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
SUNTSU晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi)..
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