高性能的lora模塊低負(fù)載32.768M壓控晶振編碼Q3614CE00004300，愛(ài)普生公司秉持著用戶至上，誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)的理念，不斷超越自我，并以滿足用戶各種各樣的需求為大前提，又以高于用戶的需求滿足為主旨，使得愛(ài)普生公司獲得廣大用戶的好評(píng)與稱贊。作為杰出的頻率控制元器件制造商，致力于打造自身強(qiáng)而有力的產(chǎn)品為目標(biāo)，并且為這個(gè)目標(biāo)付諸于巨大的行動(dòng)，在創(chuàng)新型產(chǎn)品線上有了新的突破口，研發(fā)高質(zhì)量的VG-4231CE晶振，編碼Q3614CE00004300，頻率32.768000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓2.60 ~ 3.00 V，電源電壓(一般)2.8 V，尺寸(LxWxH):3.20 x 2.50 x 1.05 mm，絕對(duì)拉力范圍+/-95ppm (min)，控制voltage1.4 + / - -1.4 v，F(xiàn)o / temp。特征公差+ / -37 ppm，這是一款CMOS輸出晶振，VCXO壓控晶振，具備低抖動(dòng)，低損耗，低電壓，高精度之特點(diǎn)，主要用于lora模塊負(fù)載32.768K有源晶振，醫(yī)療設(shè)備，智能家居等領(lǐng)域。

Product Number	Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	愛(ài)普生晶振	Absolute Pull Range	Frequency Control Range	Temperature
Q3614CE00000600	VG-4231CE	27.000000 MHz	PQE-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V	+/-75 ppm	+/-120 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00001100	VG-4231CE	27.000000 MHz	PSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00001200	VG-4231CE	27.000000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C
Q3614CE00001300	VG-4231CE	24.576000 MHz		3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V	+/-75 ppm	+/-120 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00002300	VG-4231CE	24.576000 MHz	PSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00002400	VG-4231CE	16.384000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C
Q3614CE00002700	VG-4231CE	17.734475 MHz	PSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00002900	VG-4231CE	24.000000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C
Q3614CE00003100	VG-4231CE	36.000000 MHz	PSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00004100	VG-4231CE	25.000000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C
Q3614CE00004300	VG-4231CE	32.768000 MHz	PSB-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	2.600 to 3.000 V	1.4 +/-1.4V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00004400	VG-4231CE	25.000000 MHz	PSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00004600	VG-4231CE	12.288000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C
Q3614CE00006000	VG-4231CE	11.289600 MHz		3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-95 ppm	+/-140 ppm	-40 to 85 °C
Q3614CE00006100	VG-4231CE	32.768000 MHz	CSC-M	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V	+/-100 ppm	+/-140 ppm	-20 to 70 °C

晶振產(chǎn)品有十余項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)，如工作頻率、頻率穩(wěn)定度，溫度頻差、負(fù)載電容、諧振電阻、封裝形式、老化率等。由于所有電路都是以重復(fù)且穩(wěn)定的頻率信號(hào)作為參考，選擇合適的晶振是系統(tǒng)能否持續(xù)高效工作的重要基礎(chǔ)。